1 disponibles
1 disponibles
Precio de referencia. La instalación se cotiza después de la visita al sitio y el importe final depende del cableado, la altura y el almacenamiento.
Transistor NPN de silicio diseñado para aplicaciones de alta frecuencia en el rango de 30 a 500 MHz. Integra dos transistores en configuración push-pull con emisores comunes, optimizando el rendimiento en sistemas de amplificación de RF. Ofrece una potencia de salida de 125 W a 400 MHz con ganancia de 10 dB y eficiencia del 55%, incluyendo redes de adaptación de impedancia integradas que simplifican el diseño de circuitos.
VCEO: 30 VDC
VCBO: 60 VDC
VEBO: 4.0 VDC
IC: 16 A DC
PD: 270 W (a TC = 25°C)
Derate: 1.54 W/°C
TSTG: -65 a +150 °C
TJ: 200 °C
RθJC: 0.65 °C/W
HFE: 40-100 (a IC = 1.0 A DC)
COB: 75-95 pF
Ganancia: 8-10 dB
Eficiencia: 50-55%
VSWR: 30:1 sin degradación
Impedancia: 20 Ω
Dos transistores en un solo encapsulado
Configuración push-pull
Emisores comunes
Redes de adaptación de impedancia integradas
Metabolización de oro
Valoraciones
No hay valoraciones aún.