Descripción
Este transistor MOSFET de potencia está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia en entornos industriales y de telecomunicaciones. Con una capacidad de operación a 850V y 110A de corriente continua, ofrece un rendimiento excepcional en sistemas que demandan control preciso de energía. Su encapsulado TO-247 garantiza una disipación térmica superior, permitiendo una operación sostenida incluso bajo cargas elevadas de 150W. La tecnología de semiconductores avanzada de Mitsubishi asegura confiabilidad y durabilidad en aplicaciones críticas de conversión de energía.
Características Principales
- Transistor FET de alta potencia para conmutación eficiente
- Voltaje máximo de operación de 850V
- Corriente continua de 110A
- Disipación de potencia de 150W
- Tecnología avanzada de encapsulado TO-247
- Aplicación en sistemas de conmutación de alta eficiencia
Especificaciones Técnicas
Marca
Mitsubishi
Modelo
RD60HUF1101
Tipo
Transistor FET de Potencia
Voltaje Máximo
850V
Corriente Continua
110A
Disipación de Potencia
150W
Encapsulado
TO-247
Aplicación
Sistemas de conmutación de alta eficiencia
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