Descripción
Este transistor de potencia MOSFET está diseñado para aplicaciones de amplificación RF en bandas VHF y UHF, ofreciendo una solución robusta para sistemas de comunicación de alta potencia. Su arquitectura optimizada permite alcanzar una eficiencia del drenaje de hasta 74% en la banda de 175 MHz, reduciendo significativamente las pérdidas térmicas y mejorando la confiabilidad del sistema. La integración de un diodo de protección para la puerta simplifica el diseño del circuito driver y protege contra sobretensiones transitorias. Con capacidad de disipación de 300W y resistencia térmica de 0.5°C/W, este dispositivo soporta condiciones de operación exigentes en amplificadores de transmisión profesionales.
Características Principales
- Potencia de salida de hasta 84W típica
- Eficiencia del drenaje del 74% a 175 MHz
- Diodo integrado de protección para la puerta
- Diseñado para amplificadores VHF/UHF de alta potencia
- Empaque en cinta y carrete: 500 unidades por carrete
Especificaciones Eléctricas
Tensión Drenaje-Fuente
40V (máx.)
Tensión Puerta-Fuente
-5V / +10V
Disipación del Canal
300W
Corriente de Drenaje
20A (máx.)
Temperatura de Canal
175°C
Resistencia Térmica
0.5°C/W
Desempeño RF
Banda VHF: 135-175 MHz
Potencia de Salida
84W típico
Eficiencia
74% típico
Potencia de Entrada
4.0W
Banda UHF: 450-530 MHz
Potencia de Salida
75W típico
Eficiencia
64% típico
Potencia de Entrada
5.5W
Información de Empaque
Formato
Cinta y Carrete
Cantidad por Carrete
500 unidades
Valoraciones
No hay valoraciones aún.