Descripción
Los MOSFET de potencia de canal N se fabrican mediante el proceso MegaFET, que utiliza tamaños de características similares a los de los circuitos integrados LSI para ofrecer una utilización óptima del silicio y un rendimiento excepcional. Estos transistores están diseñados para su uso en reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores y controladores de relés. Su capacidad de operación directa desde circuitos integrados simplifica el diseño de circuitos y reduce la complejidad del sistema.
Características principales
- Tecnología MegaFET para rendimiento superior
- Optimización del silicio con proceso similar a LSI
- Diseñado para reguladores y convertidores de conmutación
- Compatible con controladores de motores y relés
- Operación directa desde circuitos integrados
- Encapsulado TO-220AB estándar de la industria
Especificaciones técnicas
Tipo de canal
N
Corriente de drenaje
50 A
Voltaje drenaje-fuente
60 V
Encapsulado
TO-220AB
Tecnología de fabricación
MegaFET / Proceso LSI
Aplicaciones típicas
- Reguladores de conmutación (SMPS)
- Convertidores DC-DC
- Controladores de motores
- Controladores de relés
- Circuitos de conmutación de potencia
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