Descripción
Este transistor de potencia NPN fabricado en silicio está diseñado para aplicaciones que demandan alto voltaje y corriente significativa. Con una capacidad de 400 V entre colector y base y una corriente máxima de 10 A, es ideal para circuitos de conmutación de potencia donde se requiere rapidez de respuesta y manejo de cargas inductivas. Su encapsulado TO-247 permite una disipación térmica de hasta 80 W, facilitando su integración en fuentes de alimentación, convertidores DC-DC y sistemas de control industrial. La arquitectura de alta velocidad lo posiciona como componente clave en diseños donde la eficiencia de conmutación reduce pérdidas y mejora el rendimiento general del sistema.
Características Principales
- Transistor NPN de silicio con alto voltaje de operación
- Corriente máxima de colector de 10 A para alta potencia
- Capacidad de disipación térmica de 80 W
- Encapsulado TO-247 para montaje industrial y disipación eficiente
- Diseño de alta velocidad de conmutación
- Optimizado para circuitos inductivos de potencia conmutada
Aplicaciones Típicas
- Circuitos inductivos de potencia conmutada
- Reguladores de switcheo (SMPS)
- Convertidores DC-DC y AC-DC
- Inversores y drivers de motor
Especificaciones Técnicas
Tipo de Dispositivo
Transistor NPN de Silicio
Voltaje Colector-Base (VCBO)
400 V
Corriente de Colector (IC)
10 A
Potencia de Disipación (PD)
80 W
Característica de Velocidad
Alta velocidad de conmutación
Aplicación Primaria
Circuitos inductivos de potencia conmutada
Características de Diseño
Alto Voltaje
Capacidad de bloqueo de 400 V permite operación en topologías de bus elevado como PFC y rectificadores.
Alta Velocidad
Tiempos de conmutación reducidos minimizan pérdidas por switching en frecuencias elevadas.
Cargas Inductivas
Estructura interna optimizada para manejo seguro de energía almacenada en bobinas y transformadores.
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