Descripción
Este transistor de potencia MOSFET de canal N lateral está diseñado para aplicaciones de RF en equipos de comunicación móvil FM, amplificadores de señal RF, y sistemas industriales y comerciales. Ofrece una potencia de salida de 70 W a 470 MHz con una ganancia de 11.5 dB, operando eficientemente con una tensión de alimentación de 12.5 VDC. Su arquitectura garantiza estabilidad térmica excelente y tolerancia excepcional ante desajustes de impedancia, soportando relaciones VSWR de hasta 20:1 sin degradación.
Características Principales
- Tecnología MOSFET de canal N lateral
- Potencia de salida: 70 W a 470 MHz
- Eficiencia: 60% con VDD de 12.5 VDC
- Ganancia: 11.5 dB en banda 135-520 MHz
- Capacidad VSWR: 20:1 para alta robustez
- Paquete plástico TO-272-8 resistente a 200°C
- Cumple con RoHS (sufijo N para terminales libres de plomo)
- Estabilidad térmica excelente
- Parámetros de impedancia equivalente en serie disponibles
- Disponible en formato de cinta y carrete (500 unidades por carrete de 44 mm / 1.73 pulgadas)
Especificaciones Técnicas
Tecnología
MOSFET canal N lateral
Frecuencia máxima
470 MHz
Potencia de salida
70 W
Tensión de alimentación
12.5 VDC
Ganancia
11.5 dB (135-520 MHz)
Eficiencia
60%
Capacidad VSWR
20:1
Paquete
TO-272-8 plástico
Temperatura máxima
200°C
Empaque
Cinta y carrete (500 uds / 44 mm)
Aplicaciones
- Equipos de comunicación móvil FM
- Amplificadores de señal RF
- Equipos industriales y comerciales
- Sistemas de radiofrecuencia
Características de Diseño
- Estabilidad térmica excelente
- Parámetros de impedancia equivalente en serie disponibles
- Información del amplificador de demostración disponible
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