Descripción
Diodo Schottky UHF diseñado para aplicaciones de mezcladores y detectores RF en el rango de frecuencias ultra altas. Su construcción en semiconductor de silicio ofrece baja capacitancia de juntura y reducida caída de tensión directa, permitiendo operación eficiente hasta 1 GHz. La alta linealidad y bajo nivel de ruido lo hacen ideal para receptores de comunicación, equipos de medición RF y circuitos de conversión de frecuencia. El encapsulado DO-35 facilita su integración en diseños de montaje convencional con conexiones polarizadas por cable.
Características principales
- Baja caída de tensión directa para máxima eficiencia en conmutación
- Capacitancia de 0.5 pF que minimiza distorsión en señales UHF
- Alta linealidad en aplicaciones de mezclado y detección RF
- Operación confiable en receptores UHF y sistemas de comunicación
- Resistencia serie de 25 Ω para respuesta de conmutación rápida
- Rango térmico extendido de -55°C a +150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de diodo
Schottky
Material
Silicio (Si)
Frecuencia máxima
1 GHz (típico)
Capacitancia
0.5 pF (máx.) @ 1 MHz
Corriente directa máx.
10 mA
Tensión inversa máx.
5 V
Resistencia serie
25 Ω (máx.)
Temperatura de operación
-55°C a +150°C
Encapsulado
DO-35
Conexión ánodo
Cable positivo
Conexión cátodo
Cable negativo
Aplicaciones típicas
- Receptores de UHF y sistemas de comunicación
- Equipos de medición RF y analizadores de espectro
- Circuitos de conversión de frecuencia y mezcladores
- Detectores de envolvente y demoduladores
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